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SPA6100国产半导体参数测试仪特点

30μV-1200V，1pA-100A 宽量程测试能力

测量精度高，可达0.1%

内置标准器件测试程序，直接调用测试简便

自动实时参数提取、 数据绘图、分析函数

在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线

供灵活的夹具定制方案，兼容性强

免费提供上位机软件及SCPI指令集

应用场景及测试参数

纳米材料：电阻率、载流子迁移率、载流子浓度、霍尔电压

柔性材料：拉伸/扭转/弯折、V-t、I-t、R-t、电阻率、灵敏度

IC芯片：O/S、IIH/IIL、VOH/VOL、I/O Pin IV曲线

分立器件：BVDSS/IGSS/IDSS/Vgs(th)/Rdson、Ciss/Coss/Crss、输出/转移/CV曲线等

光电探测器：暗电流ID、结电容Ct、反向击穿电压VBR、响应度R

钙钛矿电池：VOC、ISC、Pmax、Vmax、Imax、FF、η、Rs、Rsh

LD/LED/OLED：Iop、Popt、VF、Ith、VR、IR、LIV/IVL曲线

传感器/忆阻器：V-t、I-t、R-t、直流/脉冲/交流IV测试

特色优势

模块化配置：可灵活配置多种测量单元，预留升级空间，方便后期升级

图形化界面：内置常用器件模板，可直接调用，并且支持输出三种模式测试报告

自动化测试：内嵌低漏电矩阵开关，可自动切换测试电路，实现一键测试功能

夹具可定制：支持二极管、三极管、Si及SiC MOS管、IGBT等器件

多设备联动：可与探针台、温控模块等搭配使用，温控范围：室温~250℃

SPA6100国产半导体参数测试仪配置有多种不同规格的SMU，如低压直流SMU、低压脉冲SMU、大电流SMU；用户可根据测试需求灵活配置不同规格，以及不同数量的搭配，详询一八一四零六六三四七六；武汉普赛斯一直专注于半导体的电性能测试仪表开发,基于核心算法和系统集成等技术平台优势,率先自主研发了高精度数字源表、脉冲式源表、大电流脉冲电源、CS/PXIe系列插卡式源表、功率器件测试设备、半导体参数分析仪等产品,广泛应用在半导体器件材料的分析测试领域。欲了解更多普赛斯仪表产品信息，欢迎随时咨询普赛斯仪表！